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日本IBM、3D TLC NANDを採用したフラッシュストレージ「IBM FlashSystem」新製品
2017年10月30日 17:35
日本アイ・ビー・エム株式会社（以下、日本IBM）は30日、オールフラッシュストレージ「IBM FlashSystem」の新モデルとして、「IBM FlashSystem 900 モデル AE3」「IBM FlashSystem V9000 モデル AC3/AE3」「IBM FlashSystem A9000 モデル 425」「IBM FlashSystem A9000R モデル 425」の4製品を発表した。
新モデルは、新たなIBM FlashCoreテクノロジーを採用。インラインハードウェアデータ圧縮機能が統合され、データ容量の削減が可能になった。また、IBMの独自手法によるガベージコレクションやウェアレベリング、ヘルスマネジメント、エラー修正などにより高速性を実現した。
また、FlashSystem初となる3D TLC NANDテクノロジーを採用し、約3倍の大容量化と低コスト化を実現。FlashCoreテクノロジーによる書き込み制御により、一般的な3D TLCチップと比較して、3.6倍以上の長寿命化を実現した。
これらの技術により、同一スペースで従来比3倍となる高密度化を実現し、データ容量単価を約70％削減するとしている。
「IBM FlashSystem 900 モデル AE3」は、2Uサイズの筐体で、最大実効容量は220TB。最大処理性能は110万IOPS、レイテンシーは95マイクロ秒。出荷開始日は11月17日。
「IBM FlashSystem V9000 モデル AC3/AE3」は、6U～32Uサイズの筐体で、最大実効容量は1.7PB。最大処理性能は520万IOPS、レイテンシーは180マイクロ秒。出荷開始日は12月8日。
「IBM FlashSystem A9000 モデル 425」は、8Uサイズの筐体で、最大実効容量は900TB。最大処理性能は90万IOPS、レイテンシーは250マイクロ秒。出荷開始日は11月24日。
「IBM FlashSystem A9000R モデル 425」は、42U専用ラックサイズで、最大実効容量は3.6PB。最大処理性能は240万IOPS、レイテンシーは250マイクロ秒。出荷開始日は11月24日。