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東芝、15nmプロセスMLC NANDを採用したエンタープライズ向けSSDを出荷開始

 株式会社東芝は23日、15nmプロセスで2ビット/セル(MLC)のNAND型フラッシュメモリを搭載したエンタープライズ向けSSD「HK4Rシリーズ」5製品と「HK4Eシリーズ」4製品を製品化し、サンプル出荷を開始したと発表した。

 「HK4Rシリーズ」「HK4Eシリーズ」は、東芝で初めて15nm MLC NAND型フラッシュメモリを採用したエンタープライズ向けSSD。2.5型7mm厚SSDで、15nm MLC NAND型フラッシュメモリの搭載により、従来シリーズの2倍の容量の製品を含むラインアップを揃えた。

 東芝独自の誤り訂正技術である「QSBC」を採用。複数のエラー訂正回路により、SSD内部で発生するさまざまなエラーに適切に対処することで、効率的でより精度の高い処理を実現する。さらに、パワーロスプロテクションやend-to-endデータプロテクションの機能を搭載することでデータを保護し、信頼性を高めている。

 「HK4Rシリーズ」は、1日にドライブの全容量を書き換えできる上限回数であるDWPD(Drive Write Per Day)が1倍で、リードキャッシュやメディアストリーミングサーバーなどの用途に適した製品。記録容量は1920GB/960GB/480GB/240GB/120GBの5種類。

 「HK4Eシリーズ」はDWPDが3倍で、メールサーバーやウェブサーバーなどの用途に適した製品。記録容量は1600GB/800GB/400GB/200GBの4種類。各製品の性能は下表の通り。

HK4Rシリーズ
記録容量 120GB 240GB 480GB 960GB 1920GB
シーケンシャルリード(64KB) 500MB/sec
シーケンシャルライト(64KB) 120MB/sec 270MB/sec 480MB/sec
ランダムリード(4KB) 75KIOPS
ランダムライト(4KB) 4KIOPS 10KIOPS 12KIOPS 14KIOPS
HK4Eシリーズ
記録容量 200GB 400GB 800GB 1600GB
シーケンシャルリード(64KB) 500MB/sec
シーケンシャルライト(64KB) 270MB/sec 480MB/sec
ランダムリード(4KB) 75KIOPS
ランダムライト(4KB) 20KIOPS 30KIOPS

(三柳 英樹)